关键词:
自旋电子学
第一性原理
稀磁半导体
二维材料
掺杂
应力
磁性
摘要:
当今世界已经步入了一个高度信息化的时代,对电子器件的要求也越来越趋于平面化和高度集成化,传统半导体器件已经不能满足技术需求,探索新型电子器件的任务刻不容缓,自旋电子学器件可同时操纵电子的电荷和自旋属性,为凝聚态物理和材料科学领域带来了新希望。目前,对二维稀磁半导体的研究是自旋电子学领域的焦点,因此本文选取二氧化锡(Sn O2)、氮化铝(Al N)、磷烯和硒化铟(In Se)四种材料为研究对象,采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性计算原理方法,对含空位缺陷及非磁性元素(B、C、N)杂质的Sn O2(110)表面、含空位缺陷和过渡金属(TM=Cr、Mn、Fe、Co、Ni)杂质以及双轴应力作用下的Al N薄膜、含空位缺陷和十种3d TM(从Sc到Zn)元素及双轴应力作用下的二维磷烯、含空位缺陷及双轴应力作用下的In Se展开研究,分析了材料的电子结构和磁学性质,探索了相应的自旋电子学机制,为新型二维材料在自旋电子学中的应用提供了重要的理论依据,研究发现:1)对于B掺杂SnO2(110)表面体系,单个B原子可在体系中引入1.38μB的磁矩,且磁矩主要局域在B原子上,磁耦合研究表明,近距离双掺杂B原子体系表现出半金属的特性。2)对于AlN体材料及单层AlN材料研究发现,改变U值和施加应力均可实现对带隙的调谐。五种过渡金属杂质均可在单层AlN材料中引入磁性,其中Fe单掺杂体系产生的磁矩最大为5.0μB。掺杂以后的局部结构均具有D3h对称性,根据晶体场理论分析,磁矩主要来源于TM原子d轨道未配对的电子。磁耦合研究表明,Mn原子更适合作为掺杂剂在体系中引入宏观铁磁性。3)对于3d过渡金属掺杂二维磷烯体系,Sc、Co、Cu和Zn四种元素单掺杂体系不具有磁性。其他六种元素单掺杂体系均表现出自旋极化,其中Mn单掺杂体系的磁矩最大为4.0μВ。磁耦合表明,Cr、Mn和Fe种元素更适合作为掺杂剂,尤其是Fe原子在近距离掺杂时,体系的自旋极化程度变高。在双轴应力作用下,Cr、Fe和Co三种元素单掺杂体系的磁矩在弹性形变范围内随着应力的增加而发生突变,因此可作为良好的自旋磁性开关。4)对于单层InSe体系,单个In空位在InSe中引入的磁矩为1.0μB,单层InSe材料可承受8%以下的双轴应力,同时应力可作为调谐InSe材料带隙的手段。