关键词:
SnO
掺杂
磁性
应力
第一性原理计算
摘要:
半导体技术是当今信息时代的基础,对信息的处理与存储需要突破摩尔定律的瓶颈,因此对电子器件的效率提出了更高的要求,自旋电子学的出现带来了希望。与传统半导体器件不同的是,自旋电子器件能够同时应用电子的电荷和自旋属性,解决了信息的存储问题,增加了器件的处理速度和集成密度,降低了电能消耗,为凝聚态物理和材料科学领域带来了新希望。目前,对于二维材料的研究是当前的热点问题。因此,本文选取二维一氧化锡(SnO)作为研究对象,使用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,对非金属元素(B、C、N)以及部分3d过渡金属元素(Fe、Co、Ni、Cu、Zn)掺杂的SnO表面进行研究,同时在掺杂体系的基础上进行不同程度的拉伸应力来进行探索,深入了解相应的自旋电子学机制,为新型二维材料在自旋电子学中的应用提供了重要的理论依据,研究发现:1)对含有不同缺陷的SnO表面的形成能进行比较。其中,在含有非金属元素B、C、N缺陷的SnO表面体系中,含有N原子的形成能最低,含B原子的形成能高于含C原子的;在含有Fe、Co、Ni杂质的体系中,含Ni原子的形成能最低,含Co原子的形成能高于含Fe原子;在含有Cu、Zn原子的体系中,含Cu原子的形成能高于含Zn原子的形成能。2)在掺杂单个非金属原子的SnO表面体系中,掺入B原子和N原子会使SnO表面产生磁性,产生的磁矩大小分别为2.99μB、1.00μB,主要由B-p、N-p以及非金属原子周围四个氧原子的p轨道提供。在SnO表面掺入两个相同B、N原子的磁耦合研究表明,两个非金属原子间均以反铁磁耦合为主。当在单掺杂体系的基础上施加双轴对称应变后,施加在含有B原子体系的拉伸应变只能达到4%,此时,体系的磁矩大小由2.99μB减小为1.00μB。对含有C、N原子的掺杂体系施加拉伸应变可以达到8%,体系仍保持稳定,在应变过程中磁矩保持不变。3)在掺杂Fe、Co、Ni原子的体系中,引入Fe、Co原子会使SnO表面产生磁性,计算得到的磁矩分别为2.00μB、1.00μB,主要由Fe-d和Co-d轨道贡献。对于磁性体系的磁耦合研究表明,两个Fe原子之间以反铁磁耦合为主;在选择的四种掺杂距离中,两个Co原子在掺杂距离为3.588(?)、5.368(?)时是反铁磁耦合,在其余的两种掺杂距离是铁磁耦合。对单掺杂体系施加应变后,拉伸应变均可以达到8%。掺杂Fe、Ni原子体系的磁矩保持不变;掺杂Co原子的体系在拉伸应变为8%时,磁矩增大为3.00μB。4)在掺杂Cu、Zn原子的体系中,掺杂Zn原子不会产生磁性,而掺杂Cu原子会使SnO表面产生磁性,计算得到的磁矩为1.00μB。从电子结构上看,磁性主要是由Cu-d和O-p轨道杂化所致。Cu原子在不同距离上的磁耦合研究表明,Cu-Cu之间仅在掺杂距离为7.592(?)处是铁磁耦合,而在其余掺杂距离以反铁磁耦合为主。此外,在受到双轴对称应变后,掺杂Cu原子的SnO单层的磁矩保持1.00μB,掺杂Zn原子的SnO单层是惰性的,磁性仍然不存在。