关键词:
金刚石
MPCVD装置
数值模拟
应力
多晶效应
摘要:
金刚石是自然元素类矿物的典型代表,化学成分为碳。其优秀物理、化学、机械性能,在力、声、光、电、热等方面都有较好的表现,因此金刚石被广泛应用于各个行业。大面积、高质量金刚石生长离不开设备和工艺的保障,为了提高金刚石沉积技术,本文从研究大面积、高质量金刚石入手,利用数值仿真的方法提出并优化了一款新型高功率MPCVD装置,研究了金刚石生长过程中的应力问题,分析了金刚石边缘多晶效应产生的原因,提出了相关解决方案。
首先,基于多物理场耦合数值模拟结果,提出了一款新型半球形MPCVD装置,该装置的谐振腔体由一个半球形腔体组成,谐振腔底部设置两个调节机构用于调节其固有频率。使用COMSOL软件对谐振腔的电场和等离子体分布进行了模拟优化,研究发现,两块挡板间距S1为140mm、挡板高度H1为70mm、波导管高度H2为330mm、基片台高度H3为10mm时,顶部电场和微波通道处无次生等离子体存在。流场计算结果表明,气体入口垂直于基片台时,可以在基片台上均匀横向扩散到排气孔,保证基片台上反应物均匀分布。腔体底部调谐机构可将谐振腔内电场维持在4000V/m以上,确保金刚石生长需要的物质浓度。通过优化设计同轴天线穿过矩形波导的距离和同轴波导中心到短路活塞的距离,将反射系数S11降低到-8.7d B。
其次,利用COMSOL软件建模对异质外延生长金刚石应力进行分析,模拟了不同衬底材料生长金刚石应力分布情况。由于衬底与金刚石材料热膨胀系数差异和金刚石尖角处应力集中,导致金刚石底部存在较大应力。研究了缓冲层材料和图形化参数对减小金刚石应力分布的影响,采用Ir缓冲层能有效减小Ir/蓝宝石异质外延中金刚石应力分布,但应力值仍然超过1GPa,且随着金刚石生长高度的增加,尖角应力突变区向内扩散。采用图案化生长后,细针上生长的金刚石随着高度增加,底部应力显著降低,最大值为400MPa,应力突变区无扩散。同时分析了细针高度、直径对金刚石生长应力的影响。结果表明,细针高度越小、直径越大时,生长金刚石应力值越小,能有效降低异质外延金刚石应力。
最后,为了缓解金刚石生长边缘多晶效应,提出了边缘倒角的方式抑制多晶生长。通过数值仿真方法研究倒角高度分别为0mm、0.2mm、0.4mm、0.6mm、0.8mm时的电场强度和电子数密度分布。由于尖端效应导致衬底棱角处电场强度和电子数密度出现剧烈波动,当倒角高度为0.4mm时,衬底整个表面电场强度和电子数密度波动最小,能够抑制边缘多晶产生,提高金刚石表面形貌以及生长速率的均匀性。为验证仿真结果正确性,设计了5组样品生长实验。结果表明,当无倒角和倒角高度为0.2mm时,边缘生长速率较快,边上过早呈现出明显多晶凸起;当倒角高度为0.6和0.8mm时,边缘处生长速率较慢,金刚石薄膜厚度均匀性较差;当倒角为0.4mm时,能够有效抑制边缘多晶生长,获得较高的均匀性。利用拉曼光谱对生长金刚石进行测量,除无倒角和倒角高度为0.2mm样品边缘区域含有石墨相外,其余生长样品均为金刚石相。