关键词:
准垂直
肖特基势垒二极管
TCAD
退火
应力
摘要:
氮化镓(GaN)材料作为第三代半导体,与传统硅基材料相比,有着禁带宽度大,工作频率高,击穿场强大等诸多优势。采用GaN材料制作的肖特基二极管凭借优秀的器件性能成为了研究热点。目前,AlGaN/GaN异质结器件得益于廉价的衬底和高电子迁移率,发展较为成熟,已成功大规模产业化。但异质结器件因其平面结构限制,在高压大功率领域会消耗过多面积。故同时兼顾器件成本和性能的准垂直结构应运而生,本文针对这一结构,从器件仿真,结构材料设计,关键工艺研发和器件制备测试与分析四方面入手,研制了一种大电流,低电阻,高耐压的蓝宝石基GaN准垂直二极管。
在仿真和结构材料设计部分,首先,利用TCAD-Silvaco软件分别模拟了全垂直结构和准垂直结构SBD漂移层厚度和掺杂浓度对器件Ⅰ-Ⅴ特性的影响,结果发现随器件漂移层厚度的增加,正向导通电阻下降但是反向击穿电压提高,而提高掺杂浓度带来的影响与此刚好相反,但增加漂移层掺杂浓度对于减小器件导通电阻更为有效。接着,研究了阴极与台面间距(LCM)和阳极与台面间距(LAM)对器件Ⅰ-Ⅴ特性的影响。发现LCM变化时,器件正反向特性几乎没有变化,器件正向导通时,载流子的输运受阴极和台面间距影响不大。当施加反向偏压时,电场主要集中在器件阳极附近,与LCM无关。而LAM增加时,电流略有增加,导通电阻减小,因为此时漂移区截面积增加。另外,还模拟了阴极搭在台面上和PiN复合结构的准垂直SBD,前者可以提高电流密度,后者可以显著优化击穿特性。故在模拟结果指导下先确定了外延材料为:N-漂移层厚度2.5μm,掺杂浓度2×1016cm-3,N+外延层厚度1.6μm,掺杂浓度1×1019cm-3。其次,为了验证工艺条件并确认器件的结构参数,设计了流片实验,测得欧姆接触特性良好,电阻率仅为1.38×10-5Ω·cm2。考虑到成本因素,设计了不同LCM,LAM和场板长度(LFP)的小器件,测试结果与仿真结果吻合较好,LCM和LAM对器件正反向特性影响不大,而当LFP达到10μm时,击穿电压达到了52V,最终得到了Baliga优值最大为1.37GW/cm2的SBD器件。最后,根据实验也确定了LAM和LCM均为5μm。
在关键工艺研发方面,首先设计了两种阳极制作步骤,先钝化再开孔制作阳极和先制作阳极再进行钝化,前者相当于给器件在未蒸镀阳极之前进行了一次2分钟250℃退火,测试结果表明制作阳极前钝化器件可以大幅优化器件直流特性,有利于消除器件内部缺陷,使器件物理击穿电压接近-200V。接着,研究了阳极金属沉积后退火工艺的温度对器件特性的影响,通过设置四种温度在N2气氛下2分钟退火后发现,两种器件退火后导通电阻减小,电流密度增大。尤其对于阳极前钝化器件来说,电流密度均增大了约35%,300℃下,器件的理想因子最接近1,350℃时漏电流最低,在-50V的偏压下比未退火器件低了约2个数量级,物理击穿电压均高于-200V。最后验证了阳极后退火确实可以减少器件界面态的影响。
在器件测试与分析方面,基于优化后的阳极制作工序和退火工艺制备了GaN准垂直二极管叉指型器件。首先,进行了C-V测试提取了实际器件的掺杂浓度和内建电场。接着进行直流Ⅰ-Ⅴ特性测试,结果表明叉指型器件导通电阻在1.5 mΩ·cm2左右,击穿电压保持在-200V以上,最大电流可以达到8.88A。器件各指标与国际先进水平相比具有优势。在应力退化实验中,阳极持续施加-200V电压1000秒后,器件正向电流最低衰减仅为3.82%。在变温特性测试中,所有器件在125℃以内施加-200V电压均未发生物理击穿,表现出器件良好的温度可靠性。最后,通过结合数值计算和模型拟合,研究了叉指型SBD的反向漏电机制,对漏电机理进行了理论解释。