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关键词： 密度泛函   红外振动光谱   电离能   红移  

摘要： 应用密度泛函理论（DFT）的B3LYP方法，在6-31G（d）和6—31＋＋G（d）基组水平上对HMX炸药进行了研究，计算得到了中性分子和离子的稳定构型，并确定了分子的电离能。通过对HMX红外振动光谱的理论计算和研究，发现振动光谱主要分布在I（0～1750cm^-1）和II（3000～3250cm^-1）两个区域，且整个红外光谱中振动峰的实际数目远小于简正振动的数目。此外，与中性分子的红外光谱相比，HMX＋的谱线强度整体要大于HMX分子的谱线强度，且最强峰和次强峰与中性分子相比出现了明显的红移。

关键词： 磁强计   磁矩   锁相放大器   磁滞回线  

摘要： 简述新型振动样品磁强计测量原理,介绍自制的采用电动机驱动的振动样品磁强计,并通过用已知饱和磁矩的镍球对仪器进行定标,分别测量了铁氧体多晶小球和普通小钢球的磁化曲线,取得理想的实验结果。自制新型振动样品磁强计具有测量信号大和能判定磁矩方向的特点,该仪器可应用于高校近代物理实验的教学。

关键词： 密度泛函理论   团簇   稳定性   磁矩  

摘要： 利用相对论密度泛函理论在广义梯度近似下研究了MSi_n(M=Y、Pd、La、Yb、Lu)团簇的结构、稳定性、电子和磁学性质.通过具体的计算和讨论发现:在n≤10时,所有掺杂的金属原子都位于Si原子的外部,具体位置也不尽相同.从n=11开始,随着团簇尺寸的增大,金属原子逐渐陷入Si_n团簇的内框架之中,逐渐形成趋于笼形的结构.尤其是金属原子Pd,在n=11时就较早的陷入了Si_n团簇的中心,形成笼状的基态结构.在n=16时,我们所研究的所有金属原子都完全陷入了Si_n团簇的二十面体的中心.此外,我们还对团簇的磁性进行了计算,结果显示:TMSi_n团簇的磁性很小,并且从n=6开始,团簇TMSi_n的磁矩发生"淬灭".从Mulliken电荷布局分析发现,除了PdSi_n团簇外,团簇的电荷转移方向随着团簇尺寸的增大发生改变,团簇的轨道杂化是s-p-d轨道杂化.

关键词： PN结   伏安特性   波尔兹曼常数   反向饱和电流   物理实验  

摘要： 讨论了不同温度下PN结的正向压降和伏安特性的测量方法,设计了利用TH-J型PN结正向压降温度特性测试仪研究PN结正向压降及伏安特性曲线随温度变化的实验,定性分析了PN结正向压降及伏安特性随温度变化的规律;利用Excel进行曲线拟合测定了正向压降随温度变化的灵敏度、玻尔兹曼常数以及PN结的反向饱和电流,从而定量描述了PN结的伏安特性,取得了较为准确的实验结果。

关键词： 类氢离子   电离能   量子数亏损  

摘要： 依据离子能级的单通道相对论量子亏损理论,给出了类氢离子相对论电离能的一种表达式.根据原子序数1至20的元素类氢离子电离能的实验数据,考虑到核体积与核质量修正,对相对论电离能表达式中的量子数亏损进行拟合,根据拟合结果计算的电离能理论值在实验误差范围与实验值完全相符.计算了原子序数21至55的类氢离子的电离能,并与其他方法的计算结果进行了对比分析.

关键词： PN结   单向导电性   伏安特性   击穿特性   整流   检波   限幅器  

摘要： 本文从分析PN结的单向导电性入手,阐述了二极管的伏安特性、击穿特性及主要参数,进一步讲述了二极管的应用。

关键词： InSb   Be离子注入   PN结  

摘要： 进行了InSb中Be注入成结实验研究。得到的二极管在77 K低背景下测得的特性为:正向电流-电压遵守I0eqv/βKT规律,其中β为1.6,在-0.1 V时反向电流密度为2.14×10-7A/cm2,在-1 V时反向电流密度为3.9×10-6A/cm2,优值因子R0A为1.89×105Ωcm2。经装入结构测试,芯片光电性能达到生产要求水平。

关键词： 实验演示   平行放置   原理阐述   重力势   能量最低原理   三式   向势   重心位置   转动动能   开口端  

摘要： "锥体上滚"实验演示了一个看似违反规律的现象:一个双锥体仅在重力场的作用下(忽略空气阻力)从斜面低端自动滚动到斜面顶端。这种"反常"现象能引发学生学习和探究的好奇心,现将该实验的实验装置及其原理阐述如下。一、实验装置锥体上滚的实验装置主要是由演示仪底座、2根不平行放置的横杆、双锥体等组成。双锥体是关于中间对称的两个椎体,且中间厚,两端薄。

关键词： YFe12-xMx密度泛函理论   磁矩   电子态密度  

摘要： 采用线性缀加平面波展式结合改进的局域轨道方法(APW+lo),基于密度泛函理论(DFT),优化、计算和分析了Y、Fe、V、Cr和YFe12-xMx(M=V、Cr;x=0～5)体系的结构和能量。系统的总磁矩和原子磁矩的计算表明,YFe12-xMx的磁矩主要来源于Fe,但是随着M浓度的增加而减小,这是因为M的加入不仅会降低体系中Fe的浓度,而且还将影响Fe之间相互作用导致Fe磁矩下降。利用计算获得的系统总的电子态密度和Fe的电子态密度对计算结果进行了分析。

关键词： 贴片二极管   瞬态电压   浪涌电流   击穿特性   保护功能   电路系统   响应速度   PN结  

摘要： 瞬态电压抑制贴片二极管（TVS）是利用PN结反向击穿特性进行电压箝位与分流浪涌电流，以抑制与消除电路系统中瞬间电压的一种实现保护功能的二极管。其具有响应速度快、瞬间耐流高等特点。常用瞬态电压抑制贴片二极管外形如图I所示。