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关键词： 二极管   PN结   伏安特性   导通压降   固晶焊锡  

摘要： 大功率半导体器件的散热性能直接影响其可靠性,功率芯片固晶一般采用焊锡焊接提高散热性能。本文通过测试二极管的伏安特性与结温的关系,重点研究温度对PN结的影响,此影响主要表现为随着温度的升高,二极管的正向导通压降VF会线性减小,利用此特性来评估大功率半导体器件封装工艺中固晶可靠性。

关键词： 粒子物理   强子   磁矩   光子   中微子   稳定性   极限环   混沌  

摘要： 在粒子物理中首先研究强子结构和它们的质量、寿命.其次,提出一类新的完全由量子数决定的重子磁矩公式,如μ={μ_0+a Q(Q+1)+b U(U+1)+c S}μ_N.它们类似相应的重子质量公式.第三,讨论光子和中微子的各种问题及其方程,如中微子有静质量.最后探讨极限环、混沌和粒子的稳定性.

关键词： 固溶体合金   价电子   键距差   硬度  

摘要： 根据固体与分子的经验电子理论(EET),采用键距差(BLD)方法和平均原子模型分析了W-Mo固溶体合金的价电子结构。从电子结构层次探讨了合金元素对基体的固溶强化效应。结果表明,在一定范围内,随着Mo含量的增加,W-Mo固溶体最强键的共价电子数、W-Mo固溶体共价电子数占总价电子数的百分数也逐渐增加,表明固溶体合金的硬度、强度逐渐增加。

关键词： 大功率LED   PN结   伏安特性  

摘要： 研究了大功率LED芯片的伏安特性。基于LED芯片的特殊性,从经典的PN结伏安特性出发,进行理论推导并通过选择不同的基函数,构建出了大功率LED芯片的伏安特性新模型和优化模型,模型中的系数采用最小二乘法进行确定。对大功率LED芯片的实测伏安特性数据表明,本文构建出的优化模型比经典的PN结模型更能准确表征LED的伏安特性,与实测的伏安特性数据一致性更高,更具实用价值。

关键词： 液晶5CB   磁矩   向列相  

摘要： 液晶5CB,一种典型的向列相热致液晶。分子式中具有芳香环,因而具有抗磁性。由于在不同温度下,液晶5CB具有不同的相,本文将分析不同相的液晶在变化的磁场作用下磁矩的变化规律。

关键词： 能量最低原理   最大熵原理   电子填充规则   热力学  

摘要： 不要把能量最低原理与核外电子填充规则混为一谈,后者仅仅是能量最低原理众多应用中的一例。体系"能量越低越稳定"的说法错在忘了它成立的前提:熵固定。Gibbs的说法才是能量最低原理的完整表述,它等价于Clausius的最大熵原理,两者各自有其成立的前提条件。由Gibbs能量最低原理可以导出核外电子的填充规则。宏观和微观世界只有一个能量最低原理。

关键词： ZnO   肖特基   pn结   紫外探测器  

摘要： 本文通过化学气相沉积法制备了ZnO纳米材料,利用扫描电镜、光致发光谱、X衍射光谱及拉曼光谱等方法对制备的材料进行了表征.基于制备的单根ZnO线分别构建了三种不同结构的紫外探测器件:Ag-ZnO-Ag肖特基型、PEDOT:PSS/n-ZnO结型和p-Si/n-ZnO结型紫外探测器,并对器件的性能进行了研究.结果表明:三种不同结构的器件都表现出良好的整流特性,对紫外线均有明显的光响应;在零偏压下,都有明显的自驱动特性.三种器件中,p-Si/n-ZnO型紫外探测器性能最为优异:在零偏压下,暗电流约在1.2×10^(-3)nA,光电流在5.4 nA左右,光暗电流比为4.5×10~3,上升和下降时间分别为0.7 s和1 s.通过三类器件性能比较,表明无机p-Si更适合与ZnO构建pn结型自驱动紫外探测器.

关键词： 感应磁场   磁矩   变化规律  

摘要： 铁磁体在外磁场的磁化作用下会产生感应磁场。外磁场为弱磁场时,铁磁物体磁矩与外磁场成正比。本文以圆柱体为例,计算了地磁场作用下,铁磁体产生的磁矩,并分析了特定尺寸铁磁体产生的感应磁场随磁测坐标的变化规律。

关键词： Dy3Al5O12   磁矩   磁熵变   Gd3Ga5O12  

摘要： 用量子理论计算了Dy_3Al_5O_(12)的晶场能谱、Zeeman劈裂能级和波函数.在外磁场H_e为0

关键词： 阳离子空位   磁矩   电子结构   对称性  

摘要： 运用群论和分子轨道理论的方法,系统地研究了非掺杂磁性半导体中阳离子空位产生磁矩的原因,并用海森堡模型阐明了磁矩之间的交换耦合机理.研究发现:阳离子空位磁矩的大小与占据缺陷能级轨道的未配对电子数有关,而缺陷能级的分布与空位的晶场对称性密切相关;通过体系的反铁磁状态和铁磁状态下的能量差估算交换耦合系数J_0,交换耦合系数J_0的正负可以用来预测磁矩之间的耦合是否为铁磁耦合:J_0>0,则表明磁矩之间的耦合为铁磁耦合,反之为反铁磁耦合.最后指出空位的几何构型发生畸变(John-Teller效应)的原因:缺陷能级轨道简并度的降低与占据缺陷能级轨道的电子的数目有直接的关系.