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关键词： 样品架   电子线路   电动势   基准线圈   机械构造   振动样品磁强计   外磁场   磁矩   探测线圈   亚铁磁性   磁性测量   微振  

摘要： 微振样品磁强计可用于研究在外磁场下物质磁性的各种表现。文中对仪器应用的原理,机械构造,探测线圈的设计,电子线路及工作特性做了叙述。对本方法的优缺点及适用范围也做了简要评论。仪器有成套性,除测量磁矩系统外,尚附有霍尔测量磁场系统。测量磁矩范围是:10;～10;电磁单位磁矩,分辨率不低于2×10;电磁单位磁矩,在中等灵敏度下相对精度不低于1%。霍尔测场误差在中等磁场下不大于1%。

关键词： 异质结   界面态   输运特性   宽带隙   晶体管   半导体结   半导体三极管   金属-半导体接触   肖特基势垒   电子能态   能带结构   半导体表面   电子亲和能   电子亲和势  

摘要： 前言 异质结概念出现较早,但它仍是一个新的领域,特别是近年来在材料科学和电子科学领域里已引人注目。这次日本东京工业大学高桥清来华座谈介绍了异质结发展概况,异质结的能带结构和输运特性。现将其内容概述如下: 一、异质结发展概况 异质结广义讲是指两类不同种类物质的接触。如以固体为主可分三种状态,即固体-气体、固体-液体、固体-固体。如固体是半导体又可分为半导体-金属(金属半导体接触一肖特基势垒) 半导体-半导体(异质结)、半导体-绝缘体(MIS MOS)。 因此,这里异质结一般就是指两种不同种类半导体的接触。 异质结是在结型晶体管出现不久就被提出来了,1951年肖克莱提出了具有高注入效率的宽禁带发射极晶体管,由于当时两种半导体接触的生长技术还没发展起来,因此这种晶体管没有成为现实,以后的五、六年异质结没有什么发展。1959年以后随着气相外延技术的出现,异质结的形成成为现实。最初是制备了Ge-GaAs异质结,测定了I-V

关键词： 能带结构   磁矩   实验值   平均   表示式   电子能态   电子结构   分子   原子   磁性测量   铜基合金   重有色金属合金   铜合金   价电子数   二元合金  

摘要： 对合金磁性的研究是查明合金的电子结构的重要途径。历史上对于镍—铜合金磁性变化规律的研究成果一直被作为合金能带理论的重要例证,其绪论似乎已被公认。但是,仔细研究所有解释就会发现并非完全相同,与实验事实也并不符合。本文将几种解释的观点概括为几种模型,并以能带结构表示式进行描述和分析,在此基础上导出了与实验结果比较符合的模型和相应的能带结构表示式。本文还将此能带结构表示式扩充到整个浓度范围内,得到了镍—铜合金能带结构的完整演变关系式: Ni（3d↓）;（3d↑）;4S;—→Ni（3d↓）;（3d↑）;+（Ni-Cu）4S;+Cu（3d↓）;（3d↑）;—→（Cu-Ni）(3d↓);（3d↑）;4S;对于镍—锌,镍—铝,镍—锡和镍—锑等镍基合金在低浓度范围内的能带结构表示式进行了初步的探讨,并导出了镍原子平均磁距与上述合金元素含量的简单关系式——斯累特公式:p（Ni）=0.6-nα并对此公式的应用范围作了必要的说明。

关键词： 化学键   原子   电负性   分子结构   分子   成键   极性键   价电子   标度   程度  

摘要： 二元化合物中化学键的极性程度可以根据键合原子对其成键价电子作用的有效电埸力(绝对静电电负性)的相对差来表示,即i=(FB-FA)/FB×100% 利用上式计算了95个二元化合物的化学键离子性百分率,与前人结果比,方法较简单,物理意义较明了。

关键词： 硅单晶   补偿度   受主杂质   载流子浓度   电离能   OK   载流子密度   样品架   杂质补偿   液氮温度   施主浓度   施主杂质  

摘要： 测量硅单晶中的杂质补偿度,实质上就是要分别确定单晶中施主和受主各自的浓度。通常这些杂质的浓度十分微小,一般化学分析方法已不能满足要求,而用经典的四探针法、室温霍耳系数法也不能分别确定施主和受主的浓度。然而,确定单晶中施主和受主各自的浓度,在半导体材料和器件生产中都具有重要的意义。首先,对化学还原的多晶硅棒,需要分别确定其中施主(主要是磷)和受主(主要是硼)的浓度,由于缺乏适当的分析方法,当前生产上一般采用一次

关键词： 配位体   本征态   位型   谭维翰   键能   杂化轨道   价态   化合价   价电子   价键理论   电子云   自旋波函数   成键  

摘要： 本文将在杂化轨道的基础上引进键场和类配位体场,试图讨论价键与配位体场间的联系,并计算了甲烷的各个价态。

关键词： 电负性   价电子   经验公式   化学键参数   对应关系   结构参数   原子   分子  

摘要： 本文考查了Pauling电负性与价电子静电位能的表征参数（电荷与半径比）,以及内层电子分布概率密度径向衰减的表征参数R/r、p(r)等的关系。求得用z/r、R/r等计算电负性的经验公式。在此基础上设计了新的键参数作图方法。讨论了电负性的物理意义和有关认识论的一些问题。

关键词： 振动样品磁强计   磁矩   饱和磁化强度   磁性   外加磁场   感应电压  

摘要： 一、引 言 自然界中任何物质都是有磁性的.磁矩表征了物质磁性的强弱,是了解物质性能最基本的参数.测量磁矩的普通方法分为三种:1.测量样品在不均匀磁场中所受的力;2.测量样品附近的磁感应;3.间接测量磁性有关的其它性能.测力法通常称为磁天平,早已在实验室中得到应用.它的灵敏度高,能测很弱的磁性物质,但是测量的磁场必预是梯度场,因此很难观察均匀场中的磁矩,也不适用于测量磁化强度对外加磁场或晶轴方向的关系.例如单轴各向异性很强的钐钴合金对于不加外场的剩磁磁化强度也不能测量.许多间接测量磁矩的技术,例如法拉弟效应的测量;霍尔效应的测量以及铁磁共振的测量,灵敏度很高,但一般局限于某类材料的特殊现象,而且首先对材料要有相当多的知识.例如法拉弟效应测量只能对靖膜进行测量.感应法都是在外加磁场,线圈的位置或样品的位置变动时,在探测线圈中产生磁通的变化而感应出电压.感应法包括振动线圈技术和振动样品技术.振动线圈技术是把探测线圈的轴平行外加磁场,而且对样品是对称布置的,这种方法只好用空心螺线管或者把一般电磁铁的极头中心打孔,在安装和操作中都带来了不方便. 1959年***。t对振动样品磁强计的结构和测量技术做了详细的描述”’....

关键词： 金属键   键参数函数   原子实半径   化学键   分子结构   价电子   本征半导体   有效电荷   经验函数   化合物  

摘要： 本文讨论了化学键参数或和△x与金属键形成条件的关系,提出了半经验函数φ(g),用以研究金属化合物的化学键类型。

关键词： 振动样品磁强计   精确测量   亚铁磁性   检测线圈   饱和磁化强度   单晶体   钡铁氧体   磁矩  

摘要： 一、引言振动样品磁强计是利用物质在均匀磁场中振动,在检测线圈中感应一个电压的方法精确测量物质的磁矩。并能够测量磁矩 M 与磁场 H 的关系,磁矩随温度的变化,单晶体各向异性与温度的关系。这种磁强计具有结构简单,精确可靠,测试方便,用途广泛等优点。据报道,国外商品振动样品磁强计的精确度可达10emu,实验室可达10emu 磁矩。外场多用超导强磁场和直流强磁场,最高可达220KOe。因此可以用来研究物质的顺磁性,抗磁性,铁磁性,亚铁磁性及超导性能。